| 发明名称 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区和输入输出区，其中，在所述核心区和所述输入输出区上均形成有若干鳍片；步骤S2：在所述输入输出区上的所述鳍片上形成环绕所述鳍片的栅极氧化物层；步骤S3：在所述核心区的所述鳍片上以及所述输入输出区的所述栅极氧化物层上形成虚拟栅极氧化物层；步骤S4：在所述鳍片上形成虚拟栅极并在所述虚拟栅极之间形成层间介电层；步骤S5：去除所述虚拟栅极；步骤S6：去除所述虚拟栅极氧化物层；步骤S7：选用氧等离子体处理所述虚拟开口的表面。本发明所述方法解决了污染物残留的问题，进一步提高了半导体器件的性能和良率。 | ||
| 申请公布号 | CN106558610A | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201510621562.2 | 申请日期 | 2015.09.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 周飞 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区和输入输出区，其中，在所述核心区和所述输入输出区上均形成有若干鳍片；步骤S2：在所述输入输出区上的所述鳍片上形成环绕所述鳍片的栅极氧化物层；步骤S3：在所述核心区的所述鳍片上以及所述输入输出区的所述栅极氧化物层上形成虚拟栅极氧化物层；步骤S4：在所述鳍片上形成虚拟栅极并在所述虚拟栅极之间形成层间介电层，以填充所述虚拟栅极之间的间隙；步骤S5：去除所述虚拟栅极，以形成虚拟开口，露出所述虚拟栅极氧化物层；步骤S6：去除所述虚拟栅极氧化物层，以在所述核心区露出所述半导体衬底，在所述输入输出区露出所述栅极氧化物层；步骤S7：选用氧等离子体处理所述虚拟开口的表面。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||