| 发明名称 | 热调整半导体器件中的应力 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种热调整半导体器件中的应力的方法，其包括：进行第一外延以在半导体衬底上生长硅锗层；进行第二外延以在硅锗层上生长硅层；以及进行第一氧化以氧化硅锗层，其中生成第一硅锗氧化区。执行应力释放操作以释放由第一硅锗氧化区引起的应力。在硅层的顶面和侧壁上形成栅极介电质。栅电极形成于栅极介电质上方。 | ||
| 申请公布号 | CN104299909B | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201310452511.2 | 申请日期 | 2013.09.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 让-皮埃尔·科林格;江国诚;张广兴;吴志强;王志豪;卡洛斯·H.·迪亚兹 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种形成集成电路器件的方法，包括：进行第一外延以在半导体衬底上生长硅锗层；进行第二外延以在所述硅锗层上生长硅层；进行第一氧化以氧化所述硅锗层，其中生成第一氧化硅锗区；执行应力释放操作以释放由所述第一氧化硅锗区所引起的应力；在所述硅层的顶面和侧壁上形成栅极介电质；以及在所述栅极介电质上方形成栅电极。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||