发明名称 一种还原态氧化钼量子点材料的制备方法
摘要 本发明公开了一种还原态氧化钼量子点材料的制备方法,所述方法具体步骤如下:将1~3g金属钼粉溶解于10 ml 30%双氧水中,在磁力搅拌下混合至钼粉全部溶解,加入0.5~5g还原剂,然后在反应釜中60~160℃晶化反应6~48小时,反应后将粉体样品离心,洗涤,真空干燥,即获得粉体样品。该方法直接合成的混合价态氧化钼量子点形貌均匀、尺寸小于5 nm,并且具备优异、稳定的近红外线吸收性能。
申请公布号 CN105819510B 申请公布日期 2017.04.05
申请号 CN201610167831.7 申请日期 2016.03.23
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 果崇申;刘绍琴;丁丹丹
分类号 C01G39/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I 主分类号 C01G39/02(2006.01)I
代理机构 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 代理人 高媛
主权项 一种还原态氧化钼量子点材料的制备方法,其特征在于所述方法具体步骤如下:将1~3g金属钼粉溶解于10 ml 30%双氧水中,在磁力搅拌下混合至钼粉全部溶解,加入0.5~5g还原剂,然后在反应釜中60~160℃晶化反应6~48小时,反应后将粉体样品离心,洗涤,真空干燥,即获得粉体样品,所述样品的物相为还原态的Mo<sub>13</sub>O<sub>33</sub>,且尺寸小于5 nm,所述还原剂为壳聚糖。
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