发明名称 半导体结构的制造方法
摘要 一种半导体结构的制造方法,包含下列步骤:使用暂时粘着层将载板贴附于晶圆的第一表面上;将晶圆的第二表面贴附于框体上的紫外光胶带,并移除暂时粘着层与载板;贴附保护胶带于晶圆的第一表面上,其中保护胶带的面积大于晶圆的面积;使得保护胶带凸出于晶圆。照射紫外光于紫外光胶带,使紫外光胶带的粘性消失;贴附切割胶带于保护胶带与框体上,并移除紫外光胶带;使用第一刀具从晶圆的第二表面切割晶圆,而形成多个晶片与晶片间的多个间隙;以及使用宽度小于第一刀具的第二刀具沿间隙切割保护胶带,使得切割后的保护胶带分别凸出于晶片。本发明可提升半导体结构的良率以及制造上的便利性,且可节省在晶片上设置玻璃片的成本。
申请公布号 CN105097990B 申请公布日期 2017.04.05
申请号 CN201510195387.5 申请日期 2015.04.23
申请人 精材科技股份有限公司 发明人 何彦仕;张恕铭;蔡永泰;刘沧宇
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇
主权项 一种半导体结构的制造方法,其特征在于,包含:a)使用一暂时粘着层将一载板贴附于一晶圆的一第一表面上,且形成一布线层、一绝缘层与一球栅阵列于该晶圆相对该第一表面的一第二表面上;b)将该晶圆的该第二表面贴附于一框体上的一紫外光胶带,并移除该暂时粘着层与该载板;c)贴附一保护胶带于该晶圆的该第一表面上,以覆盖该晶圆的一影像感测区,其中该保护胶带的面积大于该晶圆的面积,使得该保护胶带凸出于该晶圆;d)照射一紫外光于该紫外光胶带,使该紫外光胶带的粘性消失;e)贴附一切割胶带于该保护胶带与该框体上,并移除该紫外光胶带;f)使用一第一刀具从该晶圆的该第二表面切割该晶圆,而形成多个晶片与该多个晶片间的多个间隙;以及g)使用宽度小于该第一刀具的一第二刀具沿该多个间隙切割该保护胶带,使得切割后的多个保护胶带分别凸出于该多个晶片。
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