三维存储器及制备方法

摘要

本发明提供了一种三维存储器及制备方法，在沉积栅存储介质层后继续沉积一层厚度较薄且电阻较大的硅层，之后再沉积金属栅，从而在对金属栅进行回蚀时，不会对下方的栅存储介质层造成损伤，同时也改善了从金属栅背注入进入ONO层的电子，提高器件的性能和可靠性。

主权项

一种三维存储器制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一在水平方向上延伸的衬底，所述衬底上方在竖直方向上交替堆叠有若干绝缘层和若干牺牲层，通过光刻和刻蚀工艺于所述绝缘层和牺牲层中在竖直方向上形成若干通孔，并在所述通孔内沉积多晶硅形成作为垂直通道的硅立柱，步骤S2、继续利用光刻和刻蚀工艺，移除相邻所述绝缘层之间的牺牲层，以将上下相邻绝缘层之间的硅立柱侧壁表面予以暴露；步骤S3、沉积存储介质层将所述硅立柱暴露的侧壁表面以及所述绝缘层暴露的表面进行覆盖；步骤S4、沉积一层硅层将所述存储介质层表面进行覆盖；步骤S5、沉积金属层覆盖在所述硅层的表面并将所述硅层之间的间隙进行填充；步骤S6、回蚀所述金属层，保留位于所述硅层之间的间隙内的金属层作为金属栅。