| 发明名称 | 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，该阵列基板具有显示区域和非显示区域，该制作方法包括：在所述显示区域和非显示区域形成有源层以及覆盖所述有源层的缓冲层；在所述显示区域形成第一钝化层以及贯穿所述第一钝化层的过孔；在所述非显示区域形成刻蚀保护层，所述刻蚀保护层覆盖所述非显示区域的有源层及其上方的缓冲层；采用刻蚀工艺刻蚀掉未被所述第一钝化层和所述刻蚀保护层覆盖的缓冲层。本发明中，采用刻蚀工艺刻蚀缓冲层时，由于非显示区域的有源层被刻蚀保护层保护，因而不会被损伤，提高了产品的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN104377167B | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201410640306.3 | 申请日期 | 2014.11.13 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 史大为;郭建 |
| 分类号 | H01L21/77(2017.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2017.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静;黄灿 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，该阵列基板具有显示区域和非显示区域，所述方法包括：在所述显示区域和非显示区域形成有源层以及覆盖所述有源层的缓冲层；在所述显示区域形成第一钝化层以及贯穿所述第一钝化层的过孔；其特征在于，所述方法还包括：在所述非显示区域形成刻蚀保护层，所述刻蚀保护层覆盖所述非显示区域的有源层及其上方的缓冲层；采用刻蚀工艺刻蚀掉未被所述第一钝化层和所述刻蚀保护层覆盖的缓冲层。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||