发明名称 |
一种SAR ADC分段电容失配的校正方法 |
摘要 |
本发明基于具有分段电容阵列结构数模转换器DAC的电荷重分配型逐次逼近模数转换器SAR ADC,公开一种针对于DAC分段电容失配的模拟域校正方法。模数转换器包括DAC,比较器,SAR逻辑和校正逻辑,该方法在于校正算法采用基于传统切换规则的单端结构,不同于传统模拟前台校正技术,实时跟踪并校正DAC分段电容失配误差。校正逻辑控制DAC在分段位置进行两次切换,根据两次切换后比较器的比较结果调节低段电容阵列的权重,促使低段电容阵列权重之和收敛于高段电容阵列最低位(LSB)的权重。 |
申请公布号 |
CN104242935B |
申请公布日期 |
2017.04.05 |
申请号 |
CN201410466887.3 |
申请日期 |
2014.09.15 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
宁宁;王伟;杜翎;汪正锋;吴霜毅;蒋旻;闫小艳 |
分类号 |
H03M1/10(2006.01)I |
主分类号 |
H03M1/10(2006.01)I |
代理机构 |
电子科技大学专利中心 51203 |
代理人 |
张杨 |
主权项 |
一种SAR ADC分段电容失配的校正方法,其具体方案是:步骤1:N位分段式SAR ADC电容阵列进行采样并保持,所述分段式SAR ADC电容阵列包括高H位电容阵列和低L位电容阵列,中间耦合电容为分数电容,其值大于理想分数电容值,并包含N+1个量化cycle即量化周期;DAC低段电容阵列上极板并联一个到地的精度为0.5倍单位电容值的可调电容Cc;步骤2:第一阶段正常量化,该阶段从高段电容最高位CH<sub>H</sub>依次进行到次低位CH<sub>2</sub>,共H‑1个量化cycle,一个正常量化cycle是指首先将对应位电容从参考地Gnd切换到参考电平Vref,然后根据比较器比较结果确定该电容的接法状态,当比较结果为0,则把该电容从Vref切换回Gnd,当比较结果为1,则该电容保持不变;步骤3:伪量化,针对低L位电容以及终端电容Cs进行,一个伪量化cycle是指首先将需要进行伪量化的电容从Gnd切换到Vref,然后记录比较器的比较结果,最后将这些电容切换回Gnd;步骤4:第二阶段正常量化,该阶段从高段电容最低位CH<sub>1</sub>进行到低段电容最低位CL<sub>1</sub>,共L+1个量化周期;步骤5:根据伪量化结果和高段电容最低位CH<sub>1</sub>的量化结果,对可调电容Cc进行修正,促使低段电容阵列权重之和收敛于高段电容阵列最低位的权重;伪量化和CH<sub>1</sub>的量化中比较器的结果为Dcomp<sub>dum</sub>和Dcomp<sub>norm</sub>,当Dcomp<sub>dum</sub>=1而Dcomp<sub>norm</sub>=0时,校正逻辑控制可调电容Cc增加一个精度电容值;当Dcomp<sub>dum</sub>=0而Dcomp<sub>norm</sub>=1时,校正逻辑控制可调电容Cc减少一个精度电容值;当Dcomp<sub>dum</sub>=0且Dcomp<sub>norm</sub>=0或者Dcomp<sub>dum</sub>=1且Dcomp<sub>norm</sub>=1时,校正逻辑不进行任何操作,Cc保持上一次的值;步骤6:重复步骤1‑5,校正和正常转换同时进行,低段电容的权重之和逐渐收敛于高段电容最低位的权重。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |