发明名称 氧化物介质层经时绝缘击穿可靠性测试方法
摘要 根据本发明的氧化物介质层经时绝缘击穿可靠性测试方法包括:在多个测试期期间,对测试结构施加应力加速电压,并且测试氧化物介质的漏电流监测值;以及在多个注入期期间,不对测试结构施加应力加速电压,而是向待测试的氧化物介质层注入应力加速电流;其中,所述多个测试期与多个注入期相互交错。在所述多个测试期期间对测试结构施加的应力加速电压在各自的测试期内保持恒定,并且之前的测试期期间对测试结构施加的应力加速电压小于后续的测试期期间对测试结构施加的应力加速电压。本发明提供了一种更精确的氧化物介质层经时绝缘击穿可靠性测试方法。
申请公布号 CN102820241B 申请公布日期 2017.04.05
申请号 CN201210312690.5 申请日期 2012.08.29
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 张博
分类号 H01L21/66(2006.01)I;G01R31/12(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 郑玮
主权项 一种氧化物介质层经时绝缘击穿可靠性测试方法,其特征在于包括:在多个测试期期间,对测试结构施加应力加速电压,并且测试氧化物介质的漏电流监测值;以及在多个注入期期间,不对测试结构施加应力加速电压,而是向待测试的氧化物介质层注入应力加速电流;其中,所述多个测试期与多个注入期相互交错;通过测试期的漏电流监测值判断氧化物介质层是否发生击穿,发生击穿后不再进行后续的加速电压的施加以及电流注入,随后,通过氧化物介质层发生击穿之前经过的多个注入期和多个测试期的时间以及施加的加速电压的大小来判断氧化物介质层的经时绝缘击穿可靠性。
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