半导体结构及其制造方法

摘要

一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底中形成有至少一个底层金属互连结构；在所述半导体基底上形成介电层；在所述介电层内形成至少一个露出所述底层金属互连结构的开口；采用原子层沉积工艺和原子层刻蚀工艺，在所述开口侧壁和底部形成阻挡层，在所述阻挡层表面形成粘附层；最后向所述开口内填充导电材料，形成金属互连结构。在向开口内填充导电材料之前，本发明通过原子层沉积工艺和原子层刻蚀工艺形成阻挡层和粘附层，阻挡层和粘附层的厚度均可以得到精确控制，且阻挡层和粘附层的厚度之和低于2nm，从而使开口中填入的导电材料的体积增加，进而降低了后段互连电阻，提高了半导体器件的电性能。

主权项

一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底中形成有至少一个底层金属互连结构；在所述半导体基底上形成介电层；在所述介电层内形成至少一个开口，所述开口露出所述底层金属互连结构；通过第一原子层沉积工艺在所述开口侧壁和底部形成阻挡膜；通过第一原子层刻蚀工艺去除部分厚度的阻挡膜形成阻挡层；通过第二原子层沉积工艺在所述阻挡层表面形成粘附膜；通过第二原子层刻蚀工艺去除部分厚度的粘附膜形成粘附层；形成所述阻挡层和粘附层后，向所述开口内填充导电材料，形成金属互连结构。