| 发明名称 | 一种FinFET器件接触电阻的测量结构及测量方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种FinFET器件接触电阻的测量结构及测量方法、电子装置。所述测量结构包括：半导体衬底；若干鳍片，位于所述半导体衬底的上方；栅极结构，位于所述鳍片上方并且环绕所述鳍片；抬升源漏，位于所述栅极结构的两侧；接触孔，位于所述抬升源漏的上方。本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种FinFET器件接触电阻的测量结构，在所述测量结构中选用栅控接触孔链来监测所述FinFET器件接触电阻，所述测量结构中所述源漏以及接触孔的轮廓均与FinFET器件中的轮廓一致，因此所述测量结构得到的FinFET器件接触电阻更加准确，而且所述测量结构和方法简单易行。 | ||
| 申请公布号 | CN106558509A | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201510621766.6 | 申请日期 | 2015.09.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 周飞 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;G01R27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种FinFET器件接触电阻的测量结构，包括：半导体衬底；若干鳍片，位于所述半导体衬底的上方；栅极结构，位于所述鳍片上方并且环绕所述鳍片；抬升源漏，位于所述栅极结构的两侧；接触孔，位于所述抬升源漏的上方。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||