发明名称 半导体器件
摘要 本发明提供一种半导体器件,提高半导体器件的可靠性。在半导体器件中,连接半导体芯片(CHP)和布线基板(WB)的凸块电极(BE2)包括将其周围用绝缘膜(17)包围的第1部分和从绝缘膜(17)露出的第2部分。能够在增加凸块电极(BE2)的高度的同时,减小凸块电极(BE2)的宽度,所以能够增加与相邻的凸块电极(BE2)的距离,密封材料(UF)的填充性提高。
申请公布号 CN106558506A 申请公布日期 2017.04.05
申请号 CN201610649174.X 申请日期 2016.08.10
申请人 瑞萨电子株式会社 发明人 矢岛明
分类号 H01L21/60(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 金光华
主权项 一种半导体器件,其特征在于,具有:半导体基板;导体层,形成在所述半导体基板上;第1绝缘膜,形成在所述导体层上,覆盖所述导体层;第2绝缘膜,形成在所述第1绝缘膜上,具有使所述导体层的表面的一部分露出的开口;凸块电极,与所述导体层接触,包括位于所述开口内的第1部分以及位于所述开口上且从所述第2绝缘膜露出的第2部分;端子,与所述凸块电极连接,形成于布线基板的表面;以及密封材料,填埋所述半导体基板与所述布线基板之间。
地址 日本东京
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