| 发明名称 | 一种硅晶片精抛光组合物及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种硅晶片精抛光组合物及制备方法，涉及化学机械抛光(CMP)领域，该组合物包括二氧化硅溶胶、羟基含氮碱性化合物、羟基羧基酸性化合物、碱性化合物、高分子化合物、表面活性剂和去离子水；所述二氧化硅溶胶中磨粒的粒径为0.1‑10nm。本发明采用了粒径降低到几个纳米的抛光颗粒，及稳定此抛光颗粒的羟基含氮碱性化合物及羟基羧基酸性化合物，这些组分有效的保持了颗粒的稳定及分散，提高了抛光后硅晶片表面的精度和质量。 | ||
| 申请公布号 | CN104530987B | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201410758563.7 | 申请日期 | 2014.12.10 |
| 申请人 | 深圳市力合材料有限公司;清华大学;深圳清华大学研究院 | 发明人 | 潘国顺;顾忠华;龚桦;邹春莉;罗桂海;王鑫;陈高攀 |
| 分类号 | C09G1/02(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | C09G1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人 | 哈达 |
| 主权项 | 一种硅晶片精抛光组合物，其特征在于，所述组合物含0.1～10nm、pH小于6的酸性硅溶胶8wt％，含0.1wt％羟基乙酸、0.4wt％二乙醇胺、0.3wt％羟乙基纤维素、0.05wt％羟丙基甲基纤维素、0.3wt％聚乙烯醚、2.0wt％氨水、0.4wt％四甲基氢氧化铵、离子水余量。 | ||
| 地址 | 518108 广东省深圳市南山区松白路西丽南岗第二工业园九栋一楼 | ||