一种半导体器件及其制造方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在其上依次形成衬垫氧化物层和硬掩膜层；利用硬掩膜层作为掩膜进行隔离区光刻，在半导体衬底中蚀刻出用于填充隔离材料的沟槽；蚀刻硬掩膜层和衬垫氧化物层，使其开口的宽度大于沟槽的开口宽度；对位于沟槽的一侧的半导体衬底实施第一阱区注入，以在半导体衬底中形成P型阱区；实施离子注入，以在P型阱区的未被硬掩膜层所遮蔽的上部区域形成离子注入区；对位于沟槽的另一侧的半导体衬底实施第二阱区注入，以在半导体衬底中形成N型阱区；在沟槽中填充隔离材料。根据本发明，可以有效抑制器件特征尺寸的缩减所引起的反转窄宽效应，提升浅沟槽隔离结构的隔离性能。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成衬垫氧化物层和硬掩膜层；利用所述硬掩膜层作为掩膜进行隔离区光刻，在所述半导体衬底中蚀刻出用于填充隔离材料的沟槽；蚀刻所述硬掩膜层和所述衬垫氧化物层，以使其开口的宽度大于所述沟槽的开口宽度；对位于所述沟槽的一侧的半导体衬底实施第一阱区注入，以在所述半导体衬底中形成P型阱区；实施离子注入，以在所述P型阱区的未被所述硬掩膜层所遮蔽的上部区域形成离子注入区；对位于所述沟槽的另一侧的半导体衬底实施第二阱区注入，以在所述半导体衬底中形成N型阱区；在所述沟槽中填充所述隔离材料。