多鳍片器件及其制造方法

摘要

一种多鳍片器件包括：衬底；在衬底上形成的多个鳍片；在相应鳍片中形成的源极区和漏极区；在衬底上形成的介电层，该介电层具有邻近第一鳍片的一侧的第一厚度，并且具有邻近鳍片的相对侧的不同于第一厚度的第二厚度；以及位于多个鳍片上面的连续栅极结构，该连续栅极结构邻近每个鳍片的顶面以及至少一个鳍片的至少一个侧壁面。通过调整介电层厚度，可以微调得到的器件的沟道宽度。本发明还提供该多鳍片器件的制造方法。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；第一鳍片、第二鳍片以及第三鳍片，形成于所述衬底上；源极区和漏极区，形成于相应的所述鳍片中；介电层，形成于所述衬底上，所述介电层具有邻近所述第一鳍片的一侧的第一厚度，并且具有邻近所述第一鳍片的相对侧的第二厚度，所述第二厚度不同于所述第一厚度，所述介电层的所述第一厚度等于所述鳍片在所述衬底上方的高度，其中，所述介电层具有邻近所述第二鳍片的两侧的所述第二厚度并且具有邻近所述第三鳍片的两侧的所述第二厚度；以及与所述鳍片和所述介电层共形的连续栅极结构，位于所述多个鳍片的上面，所述连续栅极结构直接接触每个鳍片的顶面以及至少一个鳍片的至少一个侧壁面。