发明名称 一种Cu‑Ag非晶合金薄膜及其制备方法
摘要 本发明公开了一种Cu‑Ag非晶合金薄膜及其制备方法,其特征在于非晶合金薄膜的结构式为Cu<sub>68</sub>Ag<sub>32</sub>;该非晶合金薄膜是采用真空镀膜法获得,蒸镀方式是最简单的电阻蒸发;在蒸镀实验过程中,将Cu、Ag块料分别置入两个蒸发舟内,抽真空到5×10<sup>‑4</sup>Pa时,开始镀膜,分别将Cu块和Ag块的蒸发电流调节到125A和100A,整个蒸镀过程采用水冷系统防止靶材温度过高。本发明获得的Cu<sub>68</sub>Ag<sub>32</sub>非晶合金薄膜非晶结构明晰,表面致密平整,并且本发明的方法操作简单,成本较低。
申请公布号 CN105177468B 申请公布日期 2017.04.05
申请号 CN201510528837.8 申请日期 2015.08.24
申请人 合肥工业大学 发明人 张博;朱振西;汪泉;张倩
分类号 C22C45/00(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I 主分类号 C22C45/00(2006.01)I
代理机构 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 代理人 何梅生;卢敏
主权项 一种Cu‑Ag非晶合金薄膜的制备方法,所述Cu‑Ag非晶合金薄膜的结构式为Cu<sub>68</sub>Ag<sub>32</sub>,其特征在于包括以下步骤:(1)切取Cu块和Ag块,将Cu块和Ag块表面打磨,用丙酮和酒精依次清洗各10min,吹干待用;(2)将两个蒸发舟安装在电阻蒸发镀膜系统的蒸发源架上,并将Cu块和Ag块分别置于两个蒸发舟内,将衬底置于衬底托盘上,关闭真空室开启冷却水;(3)抽真空至5×10<sup>‑4</sup>Pa以下,然后分别将Cu块和Ag块的蒸发电流调节到125A和100A,使Cu和Ag同时蒸发并沉积在衬底上,控制沉积时间1~4h,即得Cu<sub>68</sub>Ag<sub>32</sub>非晶合金薄膜。
地址 230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号