一种硅基光波导偏振转换器及其制备方法

摘要

本发明公开一种硅基光波导偏振转换器，包括硅衬底、覆盖在硅衬底上表面的二氧化硅层、硅波导层和金属条层，其中，所述硅波导层的横截面呈“L”形，其下表面生长或键合在二氧化硅层的上表面上，上表面形成一高台面和一低台面，金属条层覆盖在硅波导层的低台面上。通过在非对称硅波导层的低台面集成金属条，从而在硅波导层中形成表面等离子体波，增加了两个偏振模式间的有效折射率差，由于偏振转换的效率与模式有效折射率差成反比，从而大大缩减偏振转换器的长度。此外，本发明的金属条层制备在非对称硅波导的低台面上，因此可以在低台面的刻蚀工艺后直接通过金属蒸发和剥离工艺获得，不需要额外的对准光刻工艺，因此易于制备。

主权项

一种硅基光波导偏振转换器，其特征在于：包括硅衬底、覆盖在硅衬底上表面的二氧化硅层、硅波导层和金属条层，其中，所述硅波导层的横截面呈“L”形，其下表面生长或键合在二氧化硅层的上表面上，上表面形成一高台面和一低台面，金属条层覆盖在硅波导层的低台面上；金属条层的金属条宽度与硅波导层低台面的宽度一致，在80‑250纳米之间；所述硅波导层的宽度为250‑600纳米，高度为250‑600纳米。