发明名称 一种离子注入机台反应腔的底座
摘要 本实用新型属于一种半导体生产设备的零部件,具体涉及一种离子注入机台反应腔的底座。该底座包括位于所述反应腔底部的底板,所述底板上开设有三个进气孔,所述底板的上表面覆盖有保护挡板,所述保护挡板上开设有与所述进气孔一一对应的通孔,所述通孔的直径比与其对应的所述进气孔的直径大。本实用新型的有益效果为,在反应腔的底板上覆盖保护挡板,保护挡板可以有效的保护好其下方的底板并使底板上的进气孔不易堵塞,延长底板的使用寿命,保护挡板可更换且更换方便,只需定期更换保护挡板,就可保证离子注入机台的正常使用,大大降低机台保养成本。
申请公布号 CN206076194U 申请公布日期 2017.04.05
申请号 CN201621106192.5 申请日期 2016.10.09
申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司 发明人 史坤
分类号 H01J37/317(2006.01)I;H01J37/30(2006.01)I 主分类号 H01J37/317(2006.01)I
代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人 杨立;陈振玉
主权项 一种离子注入机台反应腔的底座,包括位于所述反应腔底部的底板(1),所述底板(1)上开设有三个进气孔(2),其特征在于,所述底板(1)的上表面覆盖有保护挡板(3),所述保护挡板(3)上开设有与所述进气孔(2)一一对应的通孔(4),所述通孔(4)的直径比与其对应的所述进气孔(2)的直径大0.5‑1.5mm。
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