| 发明名称 | 一种半导体器件及其制作方法和电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，包括：提供基底，所述基底上形成有层间介电层，所述层间介电层中形成有底部电极；在所述底部电极上方形成牺牲层；在所述牺牲层和部分所述层间介电层上形成第一顶部电极层；在所述第一顶部电极层上沉积形成第二顶部电极层；刻蚀所述第一顶部电极层和所述第二顶部电极层，以形成开口暴露部分所述牺牲层；去除所述牺牲层，以形成压力传感器空腔；在所述第二顶部电极层上形成覆盖层，以填充所述开口；对所述覆盖层进行第一刻蚀，停止于所述第二顶部电极层上；对暴露出的所述第二顶部电极层进行第二刻蚀，以形成沟槽暴露部分所述第一顶部电极层。根据本发明的方法，提高了压力传感器的敏感度。 | ||
| 申请公布号 | CN105236347B | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201410243258.4 | 申请日期 | 2014.06.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张先明;伏广才 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;G01L9/00(2006.01)I;G01L1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，包括：提供基底，所述基底上形成有层间介电层，所述层间介电层中形成有底部电极；在所述底部电极上方形成牺牲层；在所述牺牲层和部分所述层间介电层上形成第一顶部电极层；在所述第一顶部电极层上沉积形成第二顶部电极层；刻蚀所述第一顶部电极层和所述第二顶部电极层，以形成开口暴露部分所述牺牲层；去除所述牺牲层，以形成压力传感器空腔；在所述第二顶部电极层上形成覆盖层，以填充所述开口；对所述覆盖层进行第一刻蚀，停止于所述第二顶部电极层上；对暴露出的所述第二顶部电极层进行第二刻蚀，以形成沟槽暴露部分所述第一顶部电极层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||