非易失性存储器的制造方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储器的制造方法，该制造方法首先提供包括一存储单元区及一周边区的基底，此基底具有多个隔离结构突出于基底表面及形成于各个隔离结构之间的一第一掩膜层。回刻蚀第一掩膜层使其低于隔离结构，并形成一图案化的第二掩膜层于隔离结构及第一掩膜层上，以在后续刻蚀步骤中选择性保留位于周边区的第一掩膜层。在形成作为存储单元浮置栅极的导体层之后，以位于周边区的第一掩膜层为研磨终止层并实施一化学机械研磨步骤。通过本发明，可避免由于表面均匀度不佳导致的装置失效、临界电压漂移、装置可靠度及生产良率降低等问题，同时，由于本发明与现行工艺相容，且步骤简单，可在不增加生产成本的情况下提升装置效能。

主权项

一种非易失性存储器的制造方法，其特征在于，所述非易失性存储器的制造方法包括：提供一基底，所述基底包括一存储单元区及一周边区，所述基底具有多个隔离结构突出于所述基底的表面，且在所述多个隔离结构之间具有一介电层及位于所述介电层上的一第一掩膜层；回刻蚀所述第一掩膜层，使所述第一掩膜层低于所述多个隔离结构；在所述多个隔离结构及所述第一掩膜层上毯覆式形成一第二掩膜层；选择性移除位于所述存储单元区的所述第二掩膜层及所述第一掩膜层；移除位于所述周边区的所述第二掩膜层，留下位于所述周边区的所述第一掩膜层；在位于所述存储单元区的所述多个隔离结构之间以及在位于所述周边区的所述留下的第一掩膜层上形成一导电层；以及以位于所述周边区的所述第一掩膜层为研磨终止层，对位于所述存储单元区以及位于所述周边区的所述导电层实施一化学机械研磨步骤。