用于单晶超级合金和金属的直写的设备和方法

摘要

提供了用于单晶超级合金和金属的直写的方法。本方法可包括：使用第一加热器(24)将位于底板(22)上的基底(23)加热到预定温度；使用激光(26)在基底(23)表面上形成熔池(34)；将超级合金粉末(32)引入到熔池(34)；测定熔池(34)的温度；在控制器(40)处接收测定的温度；和使用与控制器(40)连通的辅助热源(41)以调节熔池(34)的温度。预定温度低于基底的熔点。激光(26)和底板(22)能够相对于彼此移动，其中激光(26)用于直接金属沉积。也大体上提供用于单晶超级合金和金属的直写的设备(20)。

主权项

一种用于单晶超级合金和金属的直写的方法，所述方法包括：使用第一加热器(24)将基底(23)加热到预定温度，其中，所述预定温度低于所述基底的熔点；使用激光(26)在所述基底(23)的表面上形成熔池(34)，其中，所述基底(23)位于底板(22)上，并且其中，所述激光(26)和所述底板(22)能够相对于彼此移动，所述激光(26)用于直接金属沉积；将超级合金粉末(32)引入到所述熔池(34)；测定所述熔池(34)的温度；在控制器(36)处接收测定的温度；和使用与所述控制器(36)连通的辅助热源(41)来调节所述熔池(34)的温度。