半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，用于提高半导体装置的性能，具有半导体基板、形成于半导体基板的上表面的元件隔离膜以及鳍片，该鳍片是半导体基板的一部分，贯通元件隔离膜而沿与半导体基板的上表面垂直的方向突出，具有在上表面的第一方向上彼此相对的侧面和将相对的侧面连结的主面，并沿与第一方向正交的第二方向延伸。还具有：控制栅电极，隔着栅极绝缘膜而配置在侧面上，并沿第一方向延伸；以及存储栅电极，隔着包含电荷蓄积层的栅极绝缘膜而配置在侧面上，并沿第一方向延伸。并且，在与上表面正交的方向上，存储栅电极与侧面重叠的重叠长度比控制栅电极与侧面重叠的重叠长度小。

主权项

一种半导体装置，具有：半导体基板，具有上表面；元件隔离膜，形成于所述半导体基板的上表面；突出部，是所述半导体基板的一部分，贯通所述元件隔离膜而沿与所述上表面垂直的方向突出，具有在所述上表面的第一方向上彼此相对的第一侧面以及第二侧面和将所述第一侧面以及所述第二侧面连结的主面，所述突出部沿与所述第一方向正交的第二方向延伸；第一栅电极，隔着第一绝缘膜而配置在所述第一侧面上，并沿所述第一方向延伸；第二栅电极，隔着包含电荷蓄积层的第二绝缘膜而配置在所述第一侧面上，并沿所述第一方向延伸；第三绝缘膜，位于所述第一栅电极和所述第二栅电极之间；以及第一半导体区域和第二半导体区域，以夹着所述第一栅电极和所述第二栅电极的方式形成在所述突出部内，在与所述上表面垂直的方向上，所述第二栅电极与所述第一侧面重叠的第一重叠长度比所述第一栅电极与所述第一侧面重叠的第二重叠长度小。