| 发明名称 | 用于制造功率电子开关装置的方法以及功率电子开关装置 | ||
| 摘要 | 本发明提出用于制造功率电子开关装置的方法。在所述功率电子开关装置中，功率半导体组件布置在基材的导体轨道的第一区域上。然后提供包括切除部的绝缘膜，其中所述绝缘膜的重叠区域设计成覆盖功率半导体组件的边缘区域，所述重叠区域邻近于所述切除部。这之后将绝缘膜布置在基材上，其中功率半导体组件布置于基材上，以使得功率半导体组件在其边缘区域的所有侧边上由绝缘膜的覆盖区域所覆盖，其中绝缘膜的另一部段覆盖所述导体轨道之一的部分。最后，布置连接装置。 | ||
| 申请公布号 | CN106558558A | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201610847618.0 | 申请日期 | 2016.09.23 |
| 申请人 | 赛米控电子股份有限公司 | 发明人 | F·瓦格纳 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市路盛律师事务所 11326 | 代理人 | 刘世杰;王桂玲 |
| 主权项 | 用于制造功率电子开关装置(1)的方法，所述功率电子开关装置(1)包括基材(2)、布置于所述基材上的功率半导体组件(24)，以及形成功率电子开关装置的连接配对部的平面连接装置(3)，所述方法包括以下方法步骤：a)提供基材(2)、功率半导体组件(24)和连接装置(3)，所述基材(2)包括彼此电绝缘的第一导体轨道(22)；b)将功率半导体组件(24)布置在基材(2)的相关联的导体轨道(22)上；c)提供包括切除部(520，540)的绝缘膜(5)；d)将绝缘膜(5)以平面方式布置于基材(2)上，其中功率半导体组件(24)布置于基材上，以使得功率半导体组件(24)在其边缘区域(242)的所有侧边上由绝缘膜(5)的覆盖区域(54)覆盖，其中所述功率半导体组件(24)的中央区域由于切除部(540)而保持未被覆盖，并且其中所述绝缘膜(5)的另一部段(52)覆盖所述导体轨道(22)的部分；以及e)布置连接装置(3)。 | ||
| 地址 | 德国纽伦堡 | ||