| 发明名称 | 等离子蚀刻单颗化半导体封装和相关方法 | ||
| 摘要 | 本发明等离子蚀刻单颗化半导体封装和相关方法。提供了多个半导体封装，其特征在于：未单颗化的半导体封装的阵列，至少部分地包封在包封材料中，所述阵列被通过以下方式单颗化：使用等离子蚀刻工艺以及蚀刻掩模和夹具在所述包封材料中同时蚀刻多条第一平行单颗化线；以及使用所述等离子蚀刻工艺以及蚀刻掩模和所述夹具在所述包封材料中同时蚀刻多条第二平行单颗化线，从而将所述阵列单颗化以形成多个单颗化的半导体封装，所述多条第二平行单颗化线基本上垂直于所述多条第一平行单颗化线。 | ||
| 申请公布号 | CN106558540A | 申请公布日期 | 2017.04.05 |
| 申请号 | CN201610819522.3 | 申请日期 | 2016.09.13 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | D·楚伊特 |
| 分类号 | H01L21/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
| 主权项 | 多个半导体封装，其特征在于：未单颗化的半导体封装的阵列，至少部分地包封在包封材料中，所述阵列被通过以下方式单颗化：使用等离子蚀刻工艺以及蚀刻掩模和夹具在所述包封材料中同时蚀刻多条第一平行单颗化线；以及使用所述等离子蚀刻工艺以及蚀刻掩模和所述夹具在所述包封材料中同时蚀刻多条第二平行单颗化线，从而将所述阵列单颗化以形成多个单颗化的半导体封装，所述多条第二平行单颗化线基本上垂直于所述多条第一平行单颗化线。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||