| 摘要 |
L'invention porte sur formation d'une portion semiconductrice (60) par croissance épitaxiale sur une portion contrainte de germination (40), comportant les étapes dans lesquelles on réalise une cavité (21) sous une partie structurée (11) en rendant libre une couche support (30) située en regard de la partie structurée (11), une portion centrale (40), dite portion contrainte de germination, étant alors contrainte ; et on forme une portion semiconductrice (60) par croissance épitaxiale sur la portion contrainte de germination (40), caractérisé en ce qu'on réalise en outre une mise en contact de la partie structurée (11) avec la couche support (30) de manière à rendre solidaire la partie structurée (11) de la couche support. |
