Superjunction-Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren

摘要

In einem Ausführungsbeispiel ist ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung beschrieben. Ein erstes Muster von ersten Trenches (108) wird in einem Halbleiterkörper (105) gebildet. Das erste Muster umfasst einen ersten Mitte-Mitte-Abstand (p1) längs einer ersten lateralen Richtung (x). Erste Bereiche werden gebildet und sind gemäß dem ersten Muster angeordnet. Danach wird ein zweites Muster von zweiten Trenches (114) in dem Halbleiterkörper (105) gebildet. Das zweite Muster umfasst einen zweiten Mitte-Mitte-Abstand (p2) längs der ersten lateralen Richtung (x). Ein Versatz zwischen den ersten und zweiten Mustern längs der ersten lateralen Richtung (x) ist geringer als jeder der ersten und zweiten Mitte-Mitte-Abstände (p1, p2). Zweite Bereiche werden gebildet und sind gemäß dem zweiten Muster angeordnet.