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Gemäß einer Ausführungsform umfasst ein Schaltkreis zum Schutz gegen elektrostatische Entladungen (ElectroStatic Discharge protection circuit, ESD-Schutzschaltkreis) einen ersten Transistor, der aufweist: einen ersten Source/Drain, der mit einer ersten Eingangs-/Ausgangsklemme verbunden ist, einen zweiten Source/Drain, der mit einer ersten Bezugsspannungsklemme verbunden ist, und ein Gate, das mit einer zweiten Bezugsspannungsklemme verbunden ist. Der ESD-Schutzschaltkreis umfasst außerdem einen Gleichstromsperrkreis (Direct Current blocking circuit, DC-Sperrkreis), der aufweist: einen ersten Eingangs-/Ausgangsknoten, der mit der ersten Eingangs-/Ausgangsklemme verbunden ist, einen zweiten Eingangs-/Ausgangsknoten, der konfiguriert ist, um mit einem Nutzschaltkreis verbunden zu werden, und einen dritten Eingangs-/Ausgangsknoten, der mit einem Gate des ersten Transistors verbunden ist. |
