Superjunction-Halbleitervorrichtung mit entgegengesetzt dotierten Halbleiterbereichen, die in Gräben ausgebildet sind, und Verfahren zur Herstellung

摘要

Eine Grabenätzmaske (410) wird auf einer Prozessoberfläche (101a) einer Halbleiterschicht (100a) ausgebildet. Durch Verwenden der Grabenätzmaske (410) werden sowohl erste Gräben (161) als auch zweite Gräben (162) gebildet, die sich von der Prozessoberfläche (101a) in die Halbleiterschicht (100a) erstrecken. Die ersten und zweiten Gräben (161, 162) wechseln sich entlang zumindest einer horizontalen Richtung parallel zu der Prozessoberfläche (101a) ab. Erste Halbleiterbereiche (171) eines ersten Leitfähigkeitstyps werden in den ersten Gräben (161) ausgebildet, und zweite Halbleiterbereiche (172) eines zweiten, entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps werden in den zweiten Gräben (162) ausgebildet.