Halbleiterstruktur, in die ein magnetischer Tunnelkontakt integriert ist, und Herstellungsverfahren dafür

摘要

Die vorliegende Offenbarung sieht eine Halbleiterstruktur vor, die eine Trägerschicht, eine Transistorregion mit einem Gate über der Trägerschicht und eine dotierte Region zumindest teilweise in der Trägerschicht, eine ersten Metallschicht über der Transistorregion, und einen magnetischen Tunnelkontakt (MTJ) zwischen der Transistorregion und der ersten Metallschicht enthält. Die vorliegende Offenbarung sieht ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur vor, das ein Bilden einer Transistorregion über einer Trägerschicht, wobei die Transistorregion ein Gate und eine dotierte Region enthält, ein Bilden eines magnetischen Tunnelkontakts (MTJ) über der Transistorregion, der elektrisch an die Transistorregion gekoppelt ist, und ein Bilden einer ersten Metallschicht über dem MTJ, die elektrisch an den MTJ und die Transistorregion gekoppelt ist, enthält.