发明名称 Klemmrahmen-Halbleitergehäuse und Verfahren zu ihrer Herstellung
摘要 Halbleitergehäuse, umfassend: einen Klemmrahmen (5), der eine erste Klemme (10) mit einer ersten Tragstruktur (51), einem ersten Hebel (52) und einem ersten Kontaktabschnitt (15) umfasst, wobei der erste Hebel (52) den ersten Kontaktabschnitt (15) und die erste Tragstruktur (51) miteinander verbindet, der erste Kontaktabschnitt (15) auf einer Vorderseite des Halbleitergehäuses angeordnet ist und die erste Tragstruktur (51) an eine entgegengesetzte Rückseite des Halbleitergehäuses angrenzt, einen ersten Chip (50), der über der ersten Tragstruktur (51) der ersten Klemme (10) angeordnet ist, wobei der erste Chip (50) erste Einzelchipkontakte (60) auf der Vorderseite des Halbleitergehäuses umfasst, einen zweiten Chip, der über einer zweiten Tragstruktur einer zweiten Klemme des Klemmrahmens (5) angeordnet ist, wobei die zweite Klemme ferner einen zweiten Hebel und einen zweiten Kontaktabschnitt umfasst, die zweite Tragstruktur an die Rückseite des Halbleitergehäuses angrenzt, der zweite Kontaktabschnitt auf der Vorderseite des Halbleitergehäuses angeordnet ist und der zweite Hebel den zweiten Kontaktabschnitt und die zweite Tragstruktur miteinander verbindet, wobei die erste Klemme und die zweite Klemme parallel zueinander orientiert sind und durch einen Tragausleger (20) miteinander verbunden sind und ein Verkapselungsmaterial (80), das den ersten Chip, den zweiten Chip, die erste Klemme, die zweite Klemme und den Tragausleger (20) umgibt, wobei der erste Kontaktabschnitt, der zweite Kontaktabschnitt und die ersten Einzelchipkontakte (60) auf der Vorderseite des Halbleitergehäuses von dem Verkapselungsmaterial frei sind und die erste Tragstruktur und die zweite Tragstruktur auf der Rückseite des Halbleitergehäuses von dem Verkapselungsmaterial bedeckt sind, ferner umfassend ein Loch (170), welches sich durch den Tragausleger (20) und wenigstens teilweise durch das Verkapselungsmaterial (80) erstreckt, wobei das Loch (170) die erste Klemme von der zweiten Klemme isoliert.
申请公布号 DE102013102857(B4) 申请公布日期 2017.03.30
申请号 DE201310102857 申请日期 2013.03.20
申请人 Infineon Technologies AG 发明人 NG, Mei Ching Melissa;Ng, Mei Chin;Lim, Peng Soon
分类号 H01L23/48;H01L21/50;H01L23/31 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人
主权项
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