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Eine Projektionsbelichtungsanlage (10) für die Mikrolithographie umfasst ein Projektionsobjektiv (22) zum Abbilden von Maskenstrukturen, mindestens einen Manipulator (M1 bis M4), welcher dazu konfiguriert ist, eine optische Wirkung mindestens eines optischen Elements (E1 bis E4) des Projektionsobjektivs durch Manipulation einer Eigenschaft des optischen Elements entlang eines Stellweges zu verändern, sowie einen Stellwegsermittler (40), welcher dazu konfiguriert ist: sowohl durch Ausführen eines ersten Optimierungsalgorithmus (Alg1(H)) als auch durch Ausführen eines zweiten Optimierungsalgorithmus (Alg2(L)) aus einer Zustandscharakterisierung (66) des Projektionsobjektivs eine Stellwegseinstellung für den mindestens einen Manipulator zu generieren, wobei der erste Optimierungsalgorithmus auf eine Laufzeit ausgelegt ist, die höchstens die Hälfte der Laufzeit des zweiten Optimierungsalgorithmus beträgt, während einer Ausführung des zweiten Optimierungsalgorithmus den ersten Optimierungsalgorithmus mehrfach, und zwar jeweils auf Grundlage einer aktualisierten Version der Zustandscharakterisierung, auszuführen, zu mindestens einem Zeitpunkt während der Ausführung des zweiten Optimierungsalgorithmus ein erstes Stellwegsergebnis (xH2) in Gestalt eines aktuellen Stellwegsergebnisses des ersten Optimierungsalgorithmus sowie ein auf Grundlage eines Zwischenergebnisses (xL1) des zweiten Optimierungsalgorithmus ermitteltes zweites Stellwegsergebnis (xLK2) im Hinblick auf deren jeweiligen Korrektureinfluss auf die Zustandscharakterisierung des Projektionsobjektivs zu bewerten, sowie abhängig von der Bewertung entweder das erste Stellwegsergebnis oder das zweite Stellwegsergebnis zur Steuerung des mindestens einen Manipulators auszuwählen. |
