Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen von dieser

摘要

In einem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung wird eine dielektrische Schicht über einem Substrat ausgebildet. Eine erste Struktur und eine zweite Struktur werden in der ersten dielektrischen Zwischenschicht ausgebildet. Die erste Struktur weist eine Breite auf, die größer ist als eine Breite der zweiten Struktur. Eine erste Metallschicht wird in der ersten Struktur und der zweiten Struktur ausgebildet. Eine zweite Metallschicht wird in der ersten Struktur ausgebildet. Ein Planarisierungsvorgang wird an der ersten und der zweiten Metallschicht durchgeführt, so dass eine erste Metallverdrahtung durch die erste Struktur und eine zweite Metallverdrahtung durch die zweite Struktur ausgebildet werden. Ein Metallmaterial der ersten Metallschicht ist von einem Metallmaterial der zweiten Metallschicht verschieden. Die erste Metallverdrahtung umfasst die erste und die zweite Metallschicht und die zweite Metallverdrahtung umfasst die erste Metallschicht, umfasst aber nicht die zweite Metallschicht.