摘要 |
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, zu diagnostizieren, ob eine Überstrom-Detektionsfunktion in Bezug auf ein Leistungshalbleiterelement einer Leistungsumsetzungsvorrichtung normal ist. Die Leistungsumsetzungsvorrichtung der Erfindung ist mit IGBTs 328 und 330 als Leistungshalbleiterelement, das einen Schaltbetrieb ausführt, um von einer Gleichstromleistungsquelle gelieferte Gleichstromleistung in Wechselstromleistung umzusetzen, einer Überstrom-Detektionsschaltung 230 und einer Überstrom-Simulationsschaltung 250 versehen. Die IGBTs 328 und 330 umfassen einen Emittererfassungsanschluss 340, der eine Erfassungsstromstärke 341 gemäß einer zu einer Emitterelektrode fließenden Stromstärke ausgibt. Die Überstrom-Detektionsschaltung 230 detektiert den Überstrom, der zu den IGBTs 328 und 330 fließt, auf der Basis der von dem Emittererfassungsanschluss 340 ausgegebenen Erfassungsstromstärke 341. Die Überstrom-Simulationsschaltung 250 gibt ein Simulationssignal 251, das den zu den IGBTs 328 und 330 fließenden Überstrom simuliert, an die Überstrom-Detektionsschaltung 230 aus. |