发明名称 Magnetoresistive Tunnelübergangs-Vorrichtung, magnetischer Tunnelübergangs-Speicherarray und Verfahren zum Ausbilden einer magnetoresistiven Tunnelübergangs-Vorrichtung
摘要 Magnetoresistive Tunnelübergangs-Vorrichtung, die Folgendes umfasst: eine längliche magnetoresistive Tunnelübergangs-Struktur, die auf einem Substrat ausgebildet ist, wobei die magnetoresistive Tunnelübergangs-Struktur Folgendes umfasst: eine magnetische Referenzschicht; eine Tunnel-Sperrschicht; und eine Anzahl von getrennten freien magnetischen Bereichen, die auf der Tunnel-Sperrschicht angeordnet ist; wobei ein Verhältnis von Länge zu Breite der länglichen magnetoresistiven Tunnelübergangs-Struktur mindestens 30 beträgt; wobei Enden der länglichen magnetoresistiven Tunnelübergangs-Struktur einen Speicherbereich umfassen, wobei der Speicherbereich eine größere Breite aufweist als die längliche Struktur; wobei die Speicherbereiche eine Diamantform aufweisen.
申请公布号 DE102013107074(B4) 申请公布日期 2017.03.30
申请号 DE201310107074 申请日期 2013.07.05
申请人 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. 发明人 Yu, Chwen;Cheng, Kai-Wen;Chiang, Tien-Wei;Chen, Dong Cheng
分类号 H01L27/22;G11C11/16;H01L43/08;H01L43/12 主分类号 H01L27/22
代理机构 代理人
主权项
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