发明名称 |
Magnetoresistive Tunnelübergangs-Vorrichtung, magnetischer Tunnelübergangs-Speicherarray und Verfahren zum Ausbilden einer magnetoresistiven Tunnelübergangs-Vorrichtung |
摘要 |
Magnetoresistive Tunnelübergangs-Vorrichtung, die Folgendes umfasst: eine längliche magnetoresistive Tunnelübergangs-Struktur, die auf einem Substrat ausgebildet ist, wobei die magnetoresistive Tunnelübergangs-Struktur Folgendes umfasst: eine magnetische Referenzschicht; eine Tunnel-Sperrschicht; und eine Anzahl von getrennten freien magnetischen Bereichen, die auf der Tunnel-Sperrschicht angeordnet ist; wobei ein Verhältnis von Länge zu Breite der länglichen magnetoresistiven Tunnelübergangs-Struktur mindestens 30 beträgt; wobei Enden der länglichen magnetoresistiven Tunnelübergangs-Struktur einen Speicherbereich umfassen, wobei der Speicherbereich eine größere Breite aufweist als die längliche Struktur; wobei die Speicherbereiche eine Diamantform aufweisen. |
申请公布号 |
DE102013107074(B4) |
申请公布日期 |
2017.03.30 |
申请号 |
DE201310107074 |
申请日期 |
2013.07.05 |
申请人 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. |
发明人 |
Yu, Chwen;Cheng, Kai-Wen;Chiang, Tien-Wei;Chen, Dong Cheng |
分类号 |
H01L27/22;G11C11/16;H01L43/08;H01L43/12 |
主分类号 |
H01L27/22 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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