发明名称 Diffusionsgekühlte Gaslaseranordnung und Verfahren zur Einstellung der Entladungsverteilung bei einer diffusionsgekühlten Gaslaseranordnung
摘要 Diffusionsgekühlte Gaslaseranordnung (1) mit einer ersten und einer zweiten Elektrode (2, 5) sowie einem zwischen den Elektroden (2, 5) angeordnetem Entladungsspalt (4), wobei auf zumindest einer der Elektroden (5) entladungsspaltseitig ein Dielektrikum (13) angeordnet ist, wobei die dielektrische Dicke d/εres des Dielektrikums (13) zur Beeinflussung der Entladungsverteilung im Entladungsspalt (4) entlang zumindest einer Dimension, insbesondere über die Fläche, der Elektrode (5), auf der das Dielektrikum (13) angeordnet ist, variiert, wobei d die Dicke des Dielektrikums (13) und εres die resultierende Dielektrizitätszahl des Dielektrikums (13) ist, wobei das Dielektrikum (13, 21, 31, 41, 51) eine Dicke von mindestens 1 mm aufweist oder größer als ein Hundertstel der Länge einer Elektrode oder größer als ein Tausendstel einer durch die Frequenz einer einzukoppelnden elektrischen Hochfrequenzleistung bestimmten Wellenlänge ist, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine Materialkomponente des Dielektrikums (12, 21, 31, 41, 51) eine über die Elektrodenfläche variierende Dicke aufweist, die der räumlichen Ausdehnung des Laserstrahls angepasst ist.
申请公布号 DE102012222469(B4) 申请公布日期 2017.03.30
申请号 DE201210222469 申请日期 2012.12.06
申请人 TRUMPF Laser- und Systemtechnik GmbH 发明人 Schwandt, Markus;Knupfer, Stefan;Mahr, Gerold
分类号 H01S3/038;H01S3/041 主分类号 H01S3/038
代理机构 代理人
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