一种具有双稳态结构的肖特基二极管设计方法

摘要

本发明公开了一种具有双稳态结构的肖特基二极管设计方法，步骤包括：从铜体相中得到纯净的Cu(111)表面；利用DFT计算方法对其结构进行优化得到其晶格常数，并与实验值比较；构建出anthradithiophene(ADT)分子，并对其进行结构优化；再将优化好的ADT分子放在优化好的Cu(111)面的多种不同位置上，分别对其结构进行优化；检查优化好的结果，并且找出能够稳定存在的结构；单独计算吸附前优化好的ADT分子的禁带宽以及界面偶极得到其肖特基高度。本发明通过新颖而又精确的DFT计算方法，结合实验数据，使得设计出的肖特基二极管稳定性高，肖特基能垒低，且兼具物理和化学吸附的双重优点。

主权项

一种具有双稳态结构的肖特基二极管设计方法，其特征在于，所述设计方法至少包括以下步骤：(1)从铜体相中得到纯净的8×4×5的Cu(111)表面，对其结构进行优化得到其晶格常数和费米能级大小；(2)构建出ADT分子，对其结构进行优化，得到其禁带宽；(3)再将优化后的ADT分子吸附在优化后的Cu(111)面不同位置上，再分别对其结构进行优化；(4)检查其结果，并且找出能够稳定存在的结构；(5)计算该稳定存在结构的界面偶极矩，确定其肖特基高度。