| 发明名称 | 基于柔性多层石墨烯量子碳基板料的TFT结构及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了基于柔性多层石墨烯量子碳基板料的TFT结构及制造方法，该TFT结构包括多层石墨烯量子碳基板、第一源极、第一漏极、第一栅极绝缘层和第一栅极，所述多层石墨烯量子碳基板包括第一沟道区域、以及位于所述多层石墨烯量子碳基板的相互分离的对应凹陷部位的第一漏极区域和第一源极区域，所述第一沟道区域位于所述第一漏极区域与第一源极区域之间，所述第一源极填充于所述第一源极区域，所述第一漏极填充于第一漏极区域，所述第一栅极绝缘层设置在所述第一沟道区域上，所述第一栅极设置在所述第一栅极绝缘层上。本发明可以使载流子迁移率更高，可以大面积低成本制备柔性TFT，实现制造柔性电子器件。 | ||
| 申请公布号 | CN106549020A | 申请公布日期 | 2017.03.29 |
| 申请号 | CN201610906916.2 | 申请日期 | 2016.10.18 |
| 申请人 | 广东东邦科技有限公司 | 发明人 | 刘萍 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2017.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人 | 杨洪龙 |
| 主权项 | 一种基于柔性多层石墨烯量子碳基板料的TFT结构，其特征是，包括多层石墨烯量子碳基板、第一源极、第一漏极、第一栅极绝缘层和第一栅极，所述多层石墨烯量子碳基板包括第一沟道区域、以及位于所述多层石墨烯量子碳基板的相互分离的对应凹陷部位的第一漏极区域和第一源极区域，所述第一沟道区域位于所述第一漏极区域与第一源极区域之间，所述第一源极填充于所述第一源极区域，所述第一漏极填充于第一漏极区域，所述第一栅极绝缘层设置在所述第一沟道区域上，所述第一栅极设置在所述第一栅极绝缘层上。 | ||
| 地址 | 523808 广东省东莞市松山湖科技产业园区北部工业城C区 | ||