| 发明名称 | 降低VDMOS功率器件的Cgd电容的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种降低VDMOS功率器件的Cgd电容的方法，对于VDMOS功率器件中的每个VDMOS元胞，在P-body及N+源极完成之后，在POLY栅极采用多晶开槽光刻板将两个P-body之间的POLY刻掉。本发明可以有效降低高频VDMOS功率器件的Cgd电容，缩短关断延迟时间，从而减少功率损耗，达到节能减排的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN106548942A | 申请公布日期 | 2017.03.29 |
| 申请号 | CN201510609162.X | 申请日期 | 2015.09.23 |
| 申请人 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 张文涛 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人 | 薛琦;罗朗 |
| 主权项 | 一种降低VDMOS功率器件的Cgd电容的方法，其特征在于，对于VDMOS功率器件中的每个VDMOS元胞，在P‑body及N+源极完成之后，在POLY栅极采用多晶开槽光刻板将两个P‑body之间的POLY刻掉。 | ||
| 地址 | 200233 上海市徐汇区虹漕路385号 | ||