发明名称 一种防指纹手机触摸屏彩色镀膜工艺
摘要 一种防指纹手机触摸屏彩色镀膜工艺,涉及一种手机触摸屏镀膜工艺。本发明是要解决现有防指纹手机触摸屏生产方法中容易出现防指纹膜与ITO膜之间粘接不良进而影响触摸屏颜色显示的问题。方法:一、对基片进行超声清洗,再进行平板清洗,然后热烘干燥,得到洁净的基片;二、将步骤一得到的洁净的基片放入沉积室中,通过O<sub>2</sub>和Ar辉光放电对基片进行刻蚀与活化;三、利用硅氮烷高温裂解形成SiO<sub>x</sub>,在步骤二处理后的基片表面沉积SiO<sub>x</sub>缓冲层;四、通过对O<sub>2</sub>辉光放电,对SiO<sub>x</sub>缓冲层进行刻蚀和补充O形成SiO<sub>2</sub>缓冲层;五、然后在SiO<sub>2</sub>缓冲层表面镀ITO膜;六、在ITO膜表面沉积触摸屏用防指纹膜。本发明用于防指纹触摸屏领域。
申请公布号 CN106544644A 申请公布日期 2017.03.29
申请号 CN201610955711.3 申请日期 2016.10.27
申请人 广东星弛光电科技有限公司 发明人 周光惠;张祥林;钟少芬
分类号 C23C16/40(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I;C03C17/34(2006.01)I 主分类号 C23C16/40(2006.01)I
代理机构 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 代理人 张明
主权项 一种防指纹手机触摸屏彩色镀膜工艺,其特征在于包括以下步骤:一、对基片进行超声清洗,再进行平板清洗,然后热烘干燥,得到洁净的基片;二、将步骤一得到的洁净的基片放入PECVD沉积室中,通过O<sub>2</sub>和Ar辉光放电对基片进行刻蚀与活化;三、利用硅氮烷高温裂解形成SiO<sub>x</sub>,在步骤二处理后的基片表面沉积SiO<sub>x</sub>缓冲层;四、通过对O<sub>2</sub>辉光放电,对SiO<sub>x</sub>缓冲层进行刻蚀和补充O形成SiO<sub>2</sub>缓冲层;五、然后在SiO<sub>2</sub>缓冲层表面镀ITO膜;六、在ITO膜表面沉积触摸屏用防指纹膜:抽真空至压力为1.0×10<sup>‑5</sup>mbar ‑6.0×10<sup>‑</sup><sup>5</sup>mbar,30~45s内将灯丝电流由0A提升至260‑290A,开始沉积触摸屏用防指纹膜,沉积时间为100~170s,沉积厚度为10‑30nm。
地址 523330 广东省东莞市石排镇石排大道大基工业区8号广东星弛光电科技有限公司