发明名称 半导体装置以及半导体装置的测量方法
摘要 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的测量方法。其易于与外部相连接,且能分别测量各半导体芯片的特性。在第一接触部(131a)和第二接触部(141a)之间设置有间隙并靠近,从而构成从外部连接外部连接端子的螺纹孔(132)(连接区域)。此外,在半导体装置(100)中,第一接触部(131a)经由从侧面延伸出的第一连系部(131b)来从侧面延伸出,第二接触部(141a)经由从侧面延伸出的第二连系部(141b)从侧面延伸出,第一连系部(131b)和第二连系部(141b)隔开一定间隔以上。由此,在半导体装置(100)中,包含并联连接的第一半导体芯片(115)和第二半导体芯片(116),能作为半导体装置(100)来进行工作。进一步地,在半导体装置(100)中,能得到第一半导体芯片(115)和第二半导体芯片(116)各自的电特性。
申请公布号 CN106549008A 申请公布日期 2017.03.29
申请号 CN201610594012.0 申请日期 2016.07.26
申请人 富士电机株式会社 发明人 佐藤忠彦
分类号 H01L25/07(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I 主分类号 H01L25/07(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 万捷
主权项 一种半导体装置,包括:配置于金属板上的第一半导体芯片和第二半导体芯片;与所述第一半导体芯片的主电极电连接的第一电极端子;以及与所述第二半导体芯片的主电极电连接的第二电极端子,所述第一电极端子具有第一接触部,所述第二电极端子具有第二接触部,所述第一接触部和所述第二接触部之间设置有间隙并靠近,从而构成从外部连接外部连接端子的连接区域。
地址 日本神奈川县