发明名称 偏置电路
摘要 本发明提供的偏置电路在传统的与电源电压无关的偏置电路基础上,加入了堆叠式套筒共源共栅管,从而增强了电流镜一致性,改善了电源电压噪声或波动抑制偏置。另外,堆叠式套筒共源共栅管中,栅极与漏极的连接均跨越一个晶体管,使得所述偏置电路在电源电压较低值时仍能正常工作,而无需消耗额外的电流,节省了面积和功耗。
申请公布号 CN105094206B 申请公布日期 2017.03.29
申请号 CN201510532731.5 申请日期 2015.08.26
申请人 豪威科技(上海)有限公司 发明人 彭仁国;徐倩龙;王红卫
分类号 G05F3/26(2006.01)I 主分类号 G05F3/26(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 余毅勤
主权项 一种偏置电路,其特征在于,所述偏置电路包括:连接于电源电压和接地端之间的电流镜模块和电流确定模块,其中靠近所述电源电压的为第一模块,靠近所述接地端的为第二模块;以及位于所述电流镜模块和电流确定模块之间的:第一P型晶体管和第二P型晶体管,所述第一P型晶体管和第二P型晶体管的源极连接所述第一模块,栅极均连接至第一节点;第一N型晶体管和第二N型晶体管,所述第一N型晶体管和第二N型晶体管的栅极均连接至第二节点,源极连接所述第二模块;所述第一N型晶体管与所述第一P型晶体管具有公共漏极,所述第二P型晶体管与所述第二N型晶体管具有公共漏极;其中,所述第一模块连接所述第二P型晶体管和第二N型晶体管的公共漏极,所述第一节点连接所述第二N型晶体管的源极,所述第二模块连接所述第一N型晶体管与所述第一P型晶体管的公共漏极,所述第二节点连接第一P型晶体管源极。
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