发明名称 半导体装置
摘要 本发明能抑制半导体装置的散热性下降。在半导体装置(100)中,在散热基底(140)的背面形成有多个凹陷,凹陷构成为多个重叠。散热基底(140)的背面的多个凹陷通过对散热基底(140)的背面进行喷丸处理而形成。作为此时的喷丸处理的处理条件,在喷丸材料为SUS304、处理时间为20秒、超声波振幅为70μm时,优选将喷丸材料的平均粒径设为0.3mm~6mm。若在进行了基于上述处理条件的喷丸处理的散热基底(140)的背面隔着导热膏(160)设置散热片(170),则散热基底(140)的重叠的多个凹陷相对于导热膏(160)的密接性因固着效果而得到提高。
申请公布号 CN106548988A 申请公布日期 2017.03.29
申请号 CN201610601007.8 申请日期 2016.07.27
申请人 富士电机株式会社 发明人 斋藤隆;百濑文彦;西村芳孝;望月英司
分类号 H01L23/13(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I;H05K3/20(2006.01)I;H05K7/20(2006.01)I;H05K1/02(2006.01)I 主分类号 H01L23/13(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 张鑫
主权项 一种半导体装置,其特征在于,包括:半导体芯片;层叠基板,该层叠基板具备绝缘板、形成于所述绝缘板的正面的电路板、及形成于所述绝缘板的背面的金属板,所述电路板上设有所述半导体芯片;散热板,该散热板构成为在正面设有所述层叠基板,在背面形成有多个凹陷,多个所述凹陷相重叠;以及散热器,该散热器隔着散热材料设置于所述散热板的所述背面。
地址 日本神奈川县