一种含高体积分数SiC的金属基复合电子封装件的制备方法

摘要

本发明涉及电子封装件的制备方法，特别涉及一种含高体积分数SiC金属基复合电子封装件的制备方法。本发明按质量比，粘接剂：SiC颗粒＝1:3‑5，配取粘接剂和SiC颗粒并混合均匀，得到SiC预制体备用料后，通过3D打印技术得到设定尺寸、形状的SiC坯体；接着采用低温多段烧结的方式得到SiC多孔预制体；然后进行金属熔液浸渗处理，得到成品。本发明可制备任意复杂形状的电子封装件，而且可高精度控制成型过程，能够精确控制SiC体积分数、孔隙率、预制体孔径和孔长，以此精确控制材料的力学性能和热物理性能。

主权项

一种含高体积分数SiC的金属基复合电子封装件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一按质量比，粘接剂：SiC颗粒＝1:3‑5，配取粘接剂和SiC颗粒并混合均匀，得到SiC预制体备用料；所述SiC颗粒的粒径≤160μm；步骤二将步骤一所得SiC预制体备用料，装入3D打印设备中，通过3D打印，得到设定形状、尺寸的SiC坯体；步骤三将步骤二所得SiC坯体进行低温多段烧结，得到SiC多孔预制体；所述低温多段烧结的工艺参数为：先升温至220‑280℃，保温1‑2h后再升温至380‑420℃，保温1‑2h，然后再继续升温至480‑520℃，保温1‑2h，随炉冷却至室温；步骤四对步骤三所得SiC多孔预制体进行金属熔液浸渗处理，得到成品。