发明名称 |
氮化膜的制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种利用原子层沉积法从而稳定地维持膜质的同时,能够容易调整压缩应力的氮化膜制作方法,吸附在基板上的源气体和含有氮成分(N)及氢成分(H)的反应气体产生反应,从而形成单位沉积膜后,至少反复执行一次以上包括将所述单位沉积膜上含有氮气(N<sub>2</sub>)的后处理气体,以等离子状态供应步骤的单位循环过程,并且在所述单位循环过程期间,根据将含有氮成分(N)及氢成分(H)的反应气体连续一直供应的原子层沉积法的氮化膜制造方法。 |
申请公布号 |
CN106548923A |
申请公布日期 |
2017.03.29 |
申请号 |
CN201610791238.X |
申请日期 |
2016.08.31 |
申请人 |
圆益IPS股份有限公司 |
发明人 |
柳东浩;金颍俊;金盈孝 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 |
代理人 |
郑青松 |
主权项 |
一种氮化膜的制造方法,执行含有氮成分(N)及氢成分(H)的反应气体连续一直供应的单位循环过程至少一次以上,其特征在于,所述单位循环过程,包括:第一步骤,向基板上供应源气体使至少所述源气体的一部分吸附在所述基板上;第二步骤,向所述基板上供应第1净化气体;第三步骤,将供应到所述基板上的所述反应气体以等离子状态供应到所述基板上,并且在所述基板上形成单位沉积膜;第四步骤,向所述基板上供应第2净化气体;第五步骤,为了将存在于所述单位沉积膜上的不纯物去除,将含有氮气(N<sub>2</sub>)的后处理气体以等离子的状态供应;及第六步骤,向所述基板上供应第3净化气体。 |
地址 |
韩国京畿道 |