一种重离子微束定位方法及用于该方法的芯片

摘要

本发明属于重离子微束辐照技术领域，具体涉及一种重离子微束定位方法及用于该方法的芯片。包括在芯片内设定一个具有至少一对竖直边缘、水平边缘的定位测试电路，定位测试电路的边缘内部为敏感区域，重离子微束入射到敏感区域都能够产生单粒子瞬态脉冲信号；所述方法包括：通过放大设备确定定位测试电路的位置；使其位于重离子微束的束斑附近；分别使定位测试电路的竖直边缘和水平边缘通过束斑；得到X轴方向、Y轴方向的脉冲计数与位置图像；得到坐标(X₀，Y₀)，根据芯片上的其他待测位置相对于定位测试电路的位置为(ΔX，ΔY)得到其他待测位置的坐标(X₀+ΔX，Y₀+ΔY)。该方法的优点是减少定位步骤和误差，对其他待测位置定位快速、精确。

主权项

一种重离子微束定位方法，用于重离子微束对微电子器件的芯片内不同位置的定位，其特征是：在所述芯片(3)内选定或设置一个电路作为定位测试电路(2)，所述定位测试电路(2)具有至少一对相互垂直的竖直边缘(4)、水平边缘(5)，所述竖直边缘(4)、水平边缘(5)围绕的定位测试电路(2)的内部为敏感区域，所述重离子微束的每个束流离子入射到所述敏感区域都能够在所述定位测试电路(2)内产生单粒子瞬态脉冲信号，所述重离子微束定位方法包括如下步骤：(S1)通过放大设备确定所述芯片(3)上的所述定位测试电路(2)的位置；(S2)调整所述芯片(3)的位置，使所述定位测试电路(2)靠近所述重离子微束的束斑(1)的位置；(S3)沿X轴方向移动所述芯片(3)，使所述束斑(1)沿X轴方向通过所述竖直边缘(4)直至完全进入所述敏感区域内，记录所述定位测试电路(2)内产生的单粒子瞬态脉冲信号的脉冲计数，得到X轴方向的脉冲计数与位置图像；(S4)根据公式X₀＝X₁+(X₂‑X₁)/2得到坐标X₀，所述X₁为所述竖直边缘(4)沿X轴方向进入所述束斑(1)时得到的脉冲计数的X轴坐标，所述X₂为所述束斑(1)沿X轴方向完全进入所述敏感区域时得到的脉冲计数的X轴坐标，所述X₀为所述竖直边缘(4)位于所述束斑(1)的中心点时的X轴坐标；(S5)沿Y轴方向移动所述芯片(3)，使所述束斑(1)沿Y轴方向通过所述水平边缘(5)直至完全进入所述敏感区域内，记录所述定位测试电路(2)内产生的单粒子瞬态脉冲信号的脉冲计数，得到Y轴方向的脉冲计数与位置图像；(S6)根据公式Y₀＝Y₁+(Y₂‑Y₁)/2得到坐标Y₀，所述Y₁为所述水平边缘(5)沿Y轴方向进入所述束斑(1)时得到的脉冲计数的Y轴坐标，所述Y₂为所述束斑(1)沿Y轴方向完全进入所述敏感区域时得到的脉冲计数的Y轴坐标，所述Y₀为所述水平边缘(5)位于所述束斑(1)的中心点时的Y轴坐标；(S7)根据所述芯片(3)上的其他待测位置相对于所述定位测试电路(2)的位置为(ΔX，ΔY)，对所述芯片(3)上的其他待测位置的坐标进行修正，修正后的其他待测位置的坐标为(X₀+ΔX，Y₀+ΔY)。