| 发明名称 | 用于半导体器件的锑化物‑基高带隙隧道结 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于半导体器件的锑化物‑基高带隙隧道结。公开了一种用于半导体器件的隧道结。所述隧道结包括n‑掺杂的隧道层和p‑掺杂的隧道层。所述P‑掺杂的隧道层由砷锑化铝镓(AlGaAsSb)构成。还公开了包括隧道结的半导体器件，该隧道结具有由AlGaAsSb构成的p‑掺杂的隧道层。 | ||
| 申请公布号 | CN106549069A | 申请公布日期 | 2017.03.29 |
| 申请号 | CN201610692063.7 | 申请日期 | 2016.08.18 |
| 申请人 | 波音公司 | 发明人 | P·T·邱;M·哈达德;R·R·金 |
| 分类号 | H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0725(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 张全信;尚晓芹 |
| 主权项 | 一种用于半导体器件(10、100)的隧道结(26)，其包括：n‑掺杂的隧道层(62、162)；和p‑掺杂的隧道层(60)，其中所述p‑掺杂的隧道层由砷锑化铝镓(AlGaAsSb)构成。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺伊州 | ||