| 发明名称 | 一种石墨烯阵列的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种石墨烯阵列的制备方法，包括：在含有碳源阵列的基底表面进行石墨烯化处理，得到石墨烯阵列。本发明属于石墨烯技术领域，尤其涉及一种石墨烯阵列的制备方法。本发明提供的石墨烯阵列的制备方法，可通过控制碳源阵列的大小和形状控制石墨烯阵列的大小和形状，制备得到形状尺寸可控的石墨烯阵列。此外，本发明提供的石墨烯阵列的制备方法直接在含有碳源阵列的基底表面形成石墨烯阵列，这种方法工艺简单、操作简便，适合工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN104743552B | 申请公布日期 | 2017.03.29 |
| 申请号 | CN201510140482.5 | 申请日期 | 2015.03.27 |
| 申请人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明人 | 徐伟;汪伟;刘兆平 |
| 分类号 | C01B32/184(2017.01)I | 主分类号 | C01B32/184(2017.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 赵青朵 |
| 主权项 | 一种石墨烯阵列的制备方法，包括：在含有碳源阵列的基底表面进行石墨烯化处理，得到石墨烯阵列；所述石墨烯化处理的方法为化学气相沉积法，所述碳源阵列包括多个碳源点。 | ||
| 地址 | 315201 浙江省宁波市镇海区中官西路1219号 | ||