一种单层或少层二硫化钼纳米材料的制备方法

摘要

本发明提供了一种单层或少层二硫化钼纳米材料的制备方法，该方法先将二硫化钼粉末加入分层溶液中进行分层反应，形成混合液；然后在混合溶液中加入氧化剂进行氧化插层反应，过滤干燥后得到插层二硫化钼粉末；最后加入爆炸剂进行爆炸反应，冷却至室温后取出爆炸反应产物，即得到单层或少层二硫化钼纳米材料。采用此方法制备单层或少层二硫化钼纳米材料，不但剥离效率高，产量大，而且剥离的产物大多是具有高载流子迁移率的单层二硫化钼，能够有效运用在光电、半导体、二次电池、传感器、存储介质等器件，具有广泛的应用前景。本发明制备单层或少层二硫化钼纳米材料的方法，操作简单，不需要复杂而繁琐的制备装置，适合工业化生产。

主权项

一种单层或少层二硫化钼纳米材料的制备方法，其特征在于：该方法先将二硫化钼粉末加入分层溶液中进行分层反应，形成混合液；然后在混合液中加入氧化剂进行氧化插层反应，过滤干燥后得到插层二硫化钼粉末；最后向插层二硫化钼粉末中加入爆炸剂进行爆炸反应，冷却至室温后取出爆炸反应产物，即得到单层或少层二硫化钼纳米材料。