发明名称 |
一种低热膨胀系数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明属于高分子材料领域,具体是涉及一种低热膨胀系数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法。该聚酰亚胺薄膜具有如下结构式:<img file="DDA0001143071150000011.GIF" wi="1054" he="372" />其中,R1和R3是两种不同的四羧酸二酐单体的残基,R2和R4是两种不同的二元伯胺单体的。其制备方法为多步聚合法,首先分别聚合得到两种具有不同结构单元的聚酰亚胺酸溶液,然后将其混合再聚合,最后加热干燥处理,得到低热膨胀系数的聚酰亚胺薄膜。与现有技术相比,本发明提供的低热膨胀系数的聚酰亚胺薄膜在分子结构设计中同时引入酯键/酰胺、咪唑/噁唑等结构单元,提高分子间的相互作用力,有效降低了聚酰亚胺薄膜的热膨胀系数,同时采用不同的配方,可对其热膨胀系数进行调控,解决了不同的基底材料间的匹配问题。 |
申请公布号 |
CN106543720A |
申请公布日期 |
2017.03.29 |
申请号 |
CN201610954820.3 |
申请日期 |
2016.10.27 |
申请人 |
武汉依麦德新材料科技有限责任公司 |
发明人 |
屠国力;方省众;姜鹏飞 |
分类号 |
C08L79/08(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I;C08G73/10(2006.01)I |
主分类号 |
C08L79/08(2006.01)I |
代理机构 |
北京轻创知识产权代理有限公司 11212 |
代理人 |
陈卫 |
主权项 |
一种低热膨胀系数的聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述聚酰亚胺的结构式如下:<img file="FDA0001143071130000011.GIF" wi="1054" he="372" />其中,R1和R3是两种不同的四羧酸二酐单体的残基,R2和R4是两种不同的二元伯胺单体的残基,m和n为大于零的整数。 |
地址 |
430070 湖北省武汉市东湖高新技术开发区高新大道999号未来科技城A5北区4栋7层701单元39座 |