发明名称 半导体器件及制造方法
摘要 本发明的实施例提供了一种半导体器件,包括半导体器件、与半导体横向分离的导电通孔、介于半导体器件和导电通孔之间的封装剂、以及标记。标记由或无相交的字符或具有小于2的重叠数的字符形成。在另一实施例中,使用摆动扫描方法形成标记。通过形成所述标记,可以减少或消除来自标记工艺的缺陷。本发明的实施例还提供了半导体器件及制造方法。
申请公布号 CN106549005A 申请公布日期 2017.03.29
申请号 CN201610785784.2 申请日期 2016.08.31
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 林俊成;余振华;蔡柏豪
分类号 H01L23/544(2006.01)I 主分类号 H01L23/544(2006.01)I
代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人 章社杲;李伟
主权项 一种半导体器件,包括:具有封装剂的半导体器件;通孔,所述通孔延伸穿过所述封装剂并且与所述半导体器件横向分离;保护层,所述保护层位于所述封装剂和所述通孔上方;标记,所述标记位于所述保护层内,所述标记包括无相交的字符。
地址 中国台湾新竹