| 发明名称 | 一种叠层片式ZnO压敏电阻器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种叠层片式ZnO压敏电阻器及其制备方法。压敏电阻器由瓷片和Ni电极交替层压生成，两端涂有端电极；所述瓷片由ZnO，Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>，Mn和Co的氧化物，以及BN构成，其中，ZnO的摩尔分数为93％～98.7％，Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的摩尔分数为0.2％～5％，Mn和Co的氧化物的摩尔分数均为0.01％～5％，BN的摩尔分数为0.1％～6％。本发明采用贱金属Ni作为内电极，同时能防止Ni电极氧化，并有效抑制ZnO及其他添加物在还原气氛中被还原，促进ZnO在烧结过程中成瓷，压敏电阻器具备良好的非线性，制作成本低，适于大规模生产。 | ||
| 申请公布号 | CN106548840A | 申请公布日期 | 2017.03.29 |
| 申请号 | CN201510598234.5 | 申请日期 | 2015.09.18 |
| 申请人 | 华中科技大学 | 发明人 | 傅邱云;陈涛;周东祥;胡云香;郑志平;罗为 |
| 分类号 | H01C7/112(2006.01)I;H01C17/00(2006.01)I | 主分类号 | H01C7/112(2006.01)I |
| 代理机构 | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人 | 廖盈春 |
| 主权项 | 一种叠层片式ZnO压敏电阻器，其特征在于，由瓷片和Ni电极交替层压生成，两端涂有端电极；所述瓷片由ZnO，Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>，Mn和Co的氧化物，以及BN构成，其中，ZnO的摩尔分数为93％～98.7％，Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的摩尔分数为0.2％～5％，Mn和Co的氧化物的摩尔分数均为0.01％～5％，BN的摩尔分数为0.1％～6％。 | ||
| 地址 | 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 | ||